SiC-based FET for NOx gas sensing applications using InVOx metal oxides as a gate material

Einordnung

Konferenz:

Internationales Wissenschaftliches Kolloquium (IWK). Technische Universität Ilmenau ; 51 (Ilmenau) : 2006.09.11-15

Verlag, Verleger(in):

GND

16003365-2

ilmedia

Erschienen in:

Information technology and electrical engineering - devices and systems, materials and technologies for the future
Bd. 51, 2006 (17.07.2009), Session 4.3

Band:

51, 2006

Datum der Erstellung:

17.07.2009

Datum der Veröffentlichung:

17.07.2009

PPN:

605295530

Sprache:

Englisch

Ressourcentyp:

Text

Umfang:

7 Seiten

Erscheinungsort:

Ilmenau

Klassifikation:

Klasse A

Klassifikation:

für Harvesting bereitgestellt

Klassifikation:

51. IWK (2006)

DDC-Sachgruppe der DNB:

620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

Einrichtung:

Technische Universität Ilmenau, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik